K6T1008C2E-GF70
제품 모델 K6T1008C2E-GF70
제조사 SAMSUNG
기술 K6T1008C2E-GF70 SAMSUNG
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제조사 Samsung Semiconductor 기술 K6T1008C2E-GF70 SAMSUNG
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제품 모델

K6T1008C2E-GF70

소개

128K x 8 비트 저전력 CMOS 정적 RAM

브랜드 및 제조사

삼성 반도체

특징 및 기능

저전력 운영, 매우 낮은 스탠바이 전류, 칩이 선택 해제되면 자동으로 전원 종료

제품 성능

고속 접근 시간: 70ns, 저전력 운영 및 스탠바이 모드

기술 사양

전원 공급 전압: 4.5V ~ 5.5V, 운영 온도: -40°C ~ 85°C

크기, 형태 및 포장

28핀 TSOP1 패키지, 표면 장착 형식, 차원 약 8.1mm x 18.4mm

품질 및 신뢰성

높은 데이터 보존 안정성, 신뢰할 수 있는 반도체 생산업체인 삼성에서 제조

제품 장점

고성능 컴퓨팅에 적합한 빠른 접근 시간, 다양한 전자 시스템에 간편하게 통합 가능

제품 경쟁력

유사한 CMOS SRAM 제품군 중 경쟁력 있는 가격, 반도체 산업에서 널리 인정받는 브랜드

호환성

다양한 마이크로프로세서와 마이크로컨트롤러와 호환

표준 인증 및 준수

환경 표준 준수를 위한 RoHS 준수

수명 및 지속 가능성

전자 시스템에서의 장기 사용 설계, 삼성의 지속 가능한 제조 관행

실제 적용 분야

다양한 컴퓨팅 및 내장 시스템에 사용, 통신, 자동차, 산업 시장에서 적용 가능

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