| K9F1G08U0E-SIB0 | |
|---|---|
| 제품 모델 | K9F1G08U0E-SIB0 |
| 제조사 | SAMSUNG |
| 기술 | K9F1G08U0E-SIB0 SAMSUNG |
| 가능 수량 | 7052 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | |
| 다운로드 | K9F1G08U0E-SIB0 세부 정보 PDF |
| K9F1G08U0E-SIB0 Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| K9F1G08U0E-SIB0의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | K9F1G08U0E-SIB0 | 범주 | 집적회로 (ic) |
| 제조사 | Samsung Semiconductor | 기술 | K9F1G08U0E-SIB0 SAMSUNG |
| 패키지 / 케이스 | 가능 수량 | 7052 pcs | |
| 패키지 | TSOP | 조건 | New Original Stock |
| 보증 | 100% Perfect Functions | 리드 타임 | 2-3days after payment. |
| 지불 | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union | 출하 기준 | DHL / Fedex / UPS |
| 포트 | HongKong | RFQ 이메일 | |
| K9F1G08U0E-SIB0 세부 정보 PDF [English] | K9F1G08U0E-SIB0 PDF - EN.pdf | ||
| 다운로드 | K9F1G08U0E-SIB0 세부 정보 PDF | ||
제품 모델
K9F1G08U0E-SIB0
소개
플래시 메모리 IC
브랜드 및 제조사
삼성 반도체
특징 및 기능
고밀도 NAND 플래시 메모리, 단일 수준 셀(SLC) 기술, ECC(오류 수정 코드) 지원, 빠른 읽기/쓰기 속도
제품 성능
10,000회 쓰기/지우기 주기, 최대 10년 데이터 보관
기술 사양
1Gbit 밀도, 3.3V 전압 공급, x8 I/O 인터페이스, 페이지 크기: 2K + 64 낱자 보조 버퍼
크기, 형태 및 포장
48핀 TSOP 패키지, 표준 12mm x 20mm 물체 크기
품질 및 신뢰성
확장 온도 범위, 높은 내구성 및 신뢰성
제품 장점
대용량 데이터 저장을 위한 고밀도, 모바일 기기용 저전력 소비
제품 경쟁력
경쟁력 있는 비트당 비용, 산업 내 실증된 성과
호환성
다양한 마이크로컨트롤러 및 프로세서와 호환, 표준 NAND 인터페이스를 통한 쉬운 통합
표준 인증 및 준수
RoHS 준수, 산업 표준 사양 충족
수명 및 지속 가능성
환경 친화적 제품 수명 주기, 다양한 응용 분야에서 내구성
실제 적용 분야
스마트폰과 태블릿, SSD(고체 상태 드라이브), 디지털 카메라와 앰비사운드, 임베디드 시스템 및 IoT 기기
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ K9F1G08U0E-SIB0 온라인.
| K9F1G08U0E-SIB0 증권 | K9F1G08U0E-SIB0 가격 | K9F1G08U0E-SIB0 전자 | |||
| K9F1G08U0E-SIB0 구성 요소 | 인벤토리 | K9F1G08U0E-SIB0 Digikey | |||
| 공급 업체 K9F1G08U0E-SIB0 | K9F1G08U0E-SIB0 온라인 주문 | 문의 K9F1G08U0E-SIB0 | |||
| K9F1G08U0E-SIB0 이미지 | K9F1G08U0E-SIB0 그림 | K9F1G08U0E-SIB0 PDF | |||
| K9F1G08U0E-SIB0 데이터 시트 | K9F1G08U0E-SIB0 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Samsung Semiconductor | |||
| K9F1G08U0E-SIB0 관련 부품 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
 |
K9F1G08U0F-SIB0 | SAMSUNG TSOP48 | SAMSUNG | ||
|
K9F1G08U0M-YCB0 | K9F1G08U0M-YCB0 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
 |
K9F1G08U0E-SCB000 | SUMSUNG | |||
|
K9F1G08U0F-SCB0 IC | SAMSUNG TSOP48 | SAMSUNG | ||
|
K9F1G08U0E-SEB0 | K9F1G08U0E-SEB0 SANSUNG | SANSUNG | ||
|
K9F1G08U0E-BIB0 | K9F1G08U0E-BIB0 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K9F1G08U0F-SCB0000 | K9F1G08U0F-SCB0000 SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K9F1G08U0E | SAMSVNG | |||
|
K9F1G08U0E-SCB0 IC | SAMSUNG TSOP | SAMSUNG | ||
|
K9F1G08U0D-SIBO | SAMSUNG TSOP | SAMSUNG | ||
|
K9F1G08U0F-SCB0 | SAMSUNG TSOP48 | SAMSUNG | ||
|
K9F1G08U0E-SCB0000 | SAMSUNG | |||
|
K9F1G08U0M-PCB0 | SAMSUNG | |||
|
K9F1G08U0E-SIB000 | SAMSUNG | |||
|
K9F1G08U0M-PIB0 | SAMSUNG | |||
|
K9F1G08U0E-8IB0 | SAMSUNG | |||
|
K9F1G08U0F-5IB0 | SAMSUNG | |||
|
K9F1G08U0F-5CB0 | SAMSUNG BGA63 | SAMSUNG | ||
|
K9F1G08U0E-SCBO | K9F1G08U0E-SCBO SAMSUNG | SAMSUNG | ||
|
K9F1G08U0E-SCB0 | K9F1G08U0E-SCB0 Original | Original | ||
메시지
더
Microchip의 Polarfire® SOC FPGA는 AEC -Q100 인증을 받았으며, -40 ° C에서 125 ° C의 작동을 포함하여 가혹한 자동차 조건에서 신뢰성을 확인했습니다.64 ...
PSOCTM 4000T는 회사의 5 세대 Capsense ™ 기술 및 다중 판매 기능을 특징으로하는 Infineon의 최초의 제품입니다.이 감지 기술은 성능을 최적화하기 위해 단일...
자동차 부품 공급 업체 경영진에 따르면 자동차 제조업체가 내부 연소 엔진 (ICE) 플랫폼의 수명을 연장하기로 선택함에 따라 북미 시장의 EV 개발이 중단되었다...
Infineon과 Eatron은 AI 배터리 관리 시스템 (BMS) 협업을 산업 및 소비자 전자 장치로 확장하고 있습니다.Infineon의 PSOC ™ 마이크로 컨트롤러를 기반 으로이...
반도체에서 최근 첫 번째 실시간, 간접 기간 (ITOF) 센서 인 Hyperlux ID 시리즈의 출시를 발표했습니다.이 시리즈는 고정력 장거리 측정 및 빠르게 움직이는 물...
신제품
더
PD30 시리즈 광전 센서 Carlo Gavazzi의 소형 광전 센서는 소형 패키지로 고성능입니다. Carlo Gavazzi P...
A111 펄스 코 히어 런트 레이더 용 XC112 / XR112 평가 키트Accelerer의 XC112 및 XR112 평가 킷, 유연한 플랫 케이블 및 최대 4 개의 A111 펄스 코 히어 런트 ...
MINAS A6 시리즈 서보 드라이브 및 모터 Panasonic의 MINAS A6 제품군은 부하의 영향을 최소로 억제하여 안...
UV LED 드라이버 보드 RayVio의 UV-C 에미 터 XE 및 XP1 시리즈 용 UV LED 드라이버 보드 RayVio의 자외...
산업용 및 확장 테스트 DDR SDRAM Insignis의 DDR SDRAM 디바이스는 독점적 인 확장 테스트 플로우로 인해 ...