K9F8G08U0M-PCB0T
제품 모델 K9F8G08U0M-PCB0T
제조사 SAMSUNG
기술 K9F8G08U0M-PCB0T SAMSUNG
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K9F8G08U0M-PCB0T의 기술 정보
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제조사 Samsung Semiconductor 기술 K9F8G08U0M-PCB0T SAMSUNG
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제품 모델

K9F8G08U0M-PCB0T

소개

삼성 반도체 제공 NAND 플래시 메모리 IC입니다.

브랜드 및 제조사

삼성 반도체

특징 및 기능

8Gbit NAND 메모리 용량, 2.7V에서 3.6V 사이의 공급 전압, 4KB의 페이지 크기, 512바이트 섹터 당 128바이트의 여유 공간, 1비트 오류 수정 코드(ECC) 지원

제품 성능

고속 읽기/쓰기 작업, 효율적인 프로그램 및 지우기 주기, 100,000회까지의 내구성, 최대 10년의 데이터 보존

기술 사양

페이지 읽기 시간: 25 µs typ., 페이지 프로그램 시간: 250 µs typ., 블록 지우기 시간: 2 ms typ.

크기, 형태 및 포장

48핀 TSOP-I 패키지, 크기: 약 12mm x 20mm x 1.2mm

품질 및 신뢰성

0에서 70°C(운영) 범위, 높은 데이터 무결성과 보존

제품 장점

멀티미디어 저장에 적합한 대용량 저장 용량, 작은 설계에 최적화된 고밀도 솔루션

제품 경쟁력

유명한 삼성 메모리 기술, 고수요 응용 프로그램에 대한 일관된 성능

호환성

다양한 기존 컨트롤러 및 설계와 호환

표준 인증 및 준수

RoHS 준수, NAND 플래시 IC 산업 표준 준수

수명 및 지속 가능성

빈번한 교체 필요성 감소를 위한 긴 운영 수명, 지속 가능한 제품 설계에 기여하는 내구성 있는 메모리 저장 솔루션 제공

실제 적용 분야

고체 상태 드라이브(SSD)에 사용, 스마트폰 및 태블릿 PC에 내장, 디지털 카메라 및 비디오 카메라에서 사용, USB 플래시 드라이브 및 메모리 카드에 통합

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