RN1110MFV,L3F
제품 모델 RN1110MFV,L3F
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
가능 수량 2661 pcs new original in stock.
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RN1110MFV,L3F의 기술 정보
제조업체 부품 번호 RN1110MFV,L3F 범주  
제조사 TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) 기술 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
패키지 / 케이스 VESM 가능 수량 2661 pcs
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50 V IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 500µA, 5mA
트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 제조업체 장치 패키지 VESM
연속 - 저항기 -베이스 (R1) 4.7 kOhms
전력 - 최대 150 mW 패키지 / 케이스 SOT-723
패키지 Tape & Reel (TR) 실장 형 Surface Mount
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 120 @ 1mA, 5V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100 mA 기본 제품 번호 RN1110
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