| SSM3J09FU,LF | |
|---|---|
| 제품 모델 | SSM3J09FU,LF |
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET P-CH 30V 200MA USM |
| 가능 수량 | 9771 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | |
| SSM3J09FU,LF Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SSM3J09FU,LF의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | SSM3J09FU,LF | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | 기술 | MOSFET P-CH 30V 200MA USM |
| 패키지 / 케이스 | USM | 가능 수량 | 9771 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.8V @ 100µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | USM |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.7Ohm @ 100mA, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 150mW (Ta) | 패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | 150°C |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 22 pF @ 5 V |
| FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 3.3V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200mA (Ta) | 기본 제품 번호 | SSM3J09 |
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ SSM3J09FU,LF 온라인.
| SSM3J09FU,LF 증권 | SSM3J09FU,LF 가격 | SSM3J09FU,LF 전자 | |||
| SSM3J09FU,LF 구성 요소 | 인벤토리 | SSM3J09FU,LF Digikey | |||
| 공급 업체 SSM3J09FU,LF | SSM3J09FU,LF 온라인 주문 | 문의 SSM3J09FU,LF | |||
| SSM3J09FU,LF 이미지 | SSM3J09FU,LF 그림 | SSM3J09FU,LF PDF | |||
| SSM3J09FU,LF 데이터 시트 | SSM3J09FU,LF 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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