SSM3J143TU,LXHF의 기술 정보
제조업체 부품 번호
SSM3J143TU,LXHF 범주
이산 반도체 제품
제조사
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) 기술
SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
패키지 / 케이스
UFM
가능 수량
32 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대)
1V @ 1mA
Vgs (최대)
+6V, -8V
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지
UFM
연속
Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
29.8mOhm @ 3A, 4.5V
전력 소비 (최대)
500mW (Ta)
패키지 / 케이스
3-SMD, Flat Leads
패키지
Tape & Reel (TR)
작동 온도
150°C
실장 형
Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
840 pF @ 10 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
12.8 nC @ 4.5 V
FET 유형
P-Channel
FET 특징
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)
20 V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
5.5A (Ta)
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SSM3J143TU,LXHF 관련 부품
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제품 모델
기술
제조사
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