| SSM3J35CT,L3F | |
|---|---|
| 제품 모델 | SSM3J35CT,L3F |
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
| 가능 수량 | 2568 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | SSM3J35CT,L3F.pdf |
| SSM3J35CT,L3F Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SSM3J35CT,L3F의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | SSM3J35CT,L3F | 범주 | |
| 제조사 | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | 기술 | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
| 패키지 / 케이스 | CST3 | 가능 수량 | 2568 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA | Vgs (최대) | ±10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | CST3 |
| 연속 | π-MOSVI | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8Ohm @ 50mA, 4V |
| 전력 소비 (최대) | 100mW (Ta) | 패키지 / 케이스 | SC-101, SOT-883 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | 150°C |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 12.2 pF @ 3 V |
| FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.2V, 4V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA (Ta) | 기본 제품 번호 | SSM3J35 |
| 다운로드 | SSM3J35CT,L3F PDF - EN.pdf | ||
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| SSM3J35CT,L3F 증권 | SSM3J35CT,L3F 가격 | SSM3J35CT,L3F 전자 | |||
| SSM3J35CT,L3F 구성 요소 | 인벤토리 | SSM3J35CT,L3F Digikey | |||
| 공급 업체 SSM3J35CT,L3F | SSM3J35CT,L3F 온라인 주문 | 문의 SSM3J35CT,L3F | |||
| SSM3J35CT,L3F 이미지 | SSM3J35CT,L3F 그림 | SSM3J35CT,L3F PDF | |||
| SSM3J35CT,L3F 데이터 시트 | SSM3J35CT,L3F 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
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| 영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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