| TP65H070G4PS | |
|---|---|
| 제품 모델 | TP65H070G4PS |
| 제조사 | Transphorm |
| 기술 | GANFET N-CH 650V 29A TO220 |
| 가능 수량 | 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | |
| TP65H070G4PS Price |
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| TP65H070G4PS의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | TP65H070G4PS | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | Transphorm | 기술 | GANFET N-CH 650V 29A TO220 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220AB | 가능 수량 | Available Stock |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.7V @ 700µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) | 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB |
| 연속 | SuperGaN® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 85mOhm @ 18A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 96W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 패키지 | Tube | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 638 pF @ 400 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 9 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 29A (Tc) |
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ TP65H070G4PS 온라인.
| TP65H070G4PS 증권 | TP65H070G4PS 가격 | TP65H070G4PS 전자 | |||
| TP65H070G4PS 구성 요소 | 인벤토리 | TP65H070G4PS Digikey | |||
| 공급 업체 TP65H070G4PS | TP65H070G4PS 온라인 주문 | 문의 TP65H070G4PS | |||
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