IRF630PBF
제품 모델 IRF630PBF
제조사 Vishay Siliconix
기술 MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
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IRF630PBF의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IRF630PBF 범주  
제조사 Vishay / Siliconix 기술 MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
패키지 / 케이스 TO-220AB 가능 수량 5557 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 TO-220AB
연속 - 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 400mOhm @ 5.4A, 10V
전력 소비 (최대) 74W (Tc) 패키지 / 케이스 TO-220-3
패키지 Tube 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 800 pF @ 25 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 43 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 200 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Tc)
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제품 모델

IRF630PBF

소개

스위칭 및 증폭을 위한 N-채널 MOSFET

브랜드 및 제조사

비스헤이 실리콘익스

특징 및 기능

N-채널 증강 모드, 높은 전압 능력, 빠른 스위칭 속도, 병렬 연결 용이성, 낮은 구동 전력 필요

제품 성능

높은 전류 처리 능력, 낮은 Rds(on)으로 효율성 향상, 뛰어난 열 성능

기술 사양

MOSFET 기술, 200V 드레인-소스 전압, 9A 연속 드레인 전류, 74W 전력 소산, 400mΩ Rds(on), 43nC 게이트 전하

크기, 형태 및 포장

TO-220AB 패키지, 관통홀 장착 형식, 튜브 포장

품질 및 신뢰성

무연 / RoHS 준수, 상업 등급 응용 프로그램에 적합, 거친 열 환경을 견딜 수 있음

제품 장점

에너지 효율적, 과부하에 강함, 다양한 회로에서 구현 용이

제품 경쟁력

N-채널 MOSFET 시장에서 경쟁력 있는 가격, 광범위하게 인정받고 신뢰받는 브랜드

호환성

표준 PCB와 호환되는 관통홀 형식, 다양한 전자 응용 프로그램에 적합

표준 인증 및 준수

RoHS 준수로 환경 안전 보장

수명 및 지속 가능성

적절한 사용으로 긴 수명, 무연 인증을 받은 지속 가능한 부품

실제 적용 분야

전원 공급 장치, 모터 제어, 인버터, 조명 시스템, 소비자 전자제품

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