| SI3905DV-T1-E3 | |
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| 제품 모델 | SI3905DV-T1-E3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
| 가능 수량 | 13524 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | SI3905DV-T1-E3.pdf |
| 다운로드 | SI3905DV-T1-E3 세부 정보 PDF |
| SI3905DV-T1-E3 Price |
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| SI3905DV-T1-E3의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | SI3905DV-T1-E3 | 범주 | |
| 제조사 | Vishay / Siliconix | 기술 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSOP | 가능 수량 | 13524 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 450mV @ 250µA (Min) | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 6-TSOP | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 125mOhm @ 2.5A, 4.5V | 전력 - 최대 | 1.15W |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 8V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - | 구성 | 2 P-Channel (Dual) |
| 기본 제품 번호 | SI3905 | SI3905DV-T1-E3 세부 정보 PDF [English] | SI3905DV-T1-E3 PDF - EN.pdf |
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| 공급 업체 SI3905DV-T1-E3 | SI3905DV-T1-E3 온라인 주문 | 문의 SI3905DV-T1-E3 |
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