SI6943BDQ-T1-E3
제품 모델 SI6943BDQ-T1-E3
제조사 Vishay Siliconix
기술 MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
가능 수량 24419 pcs new original in stock.
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SI6943BDQ-T1-E3의 기술 정보
제조업체 부품 번호 SI6943BDQ-T1-E3 범주  
제조사 Vishay / Siliconix 기술 MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
패키지 / 케이스 8-TSSOP 가능 수량 24419 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 800mV @ 250µA 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 8-TSSOP 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 80mOhm @ 2.5A, 4.5V 전력 - 최대 800mW
패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 패키지 Tape & Reel (TR)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 4.5V
FET 특징 Logic Level Gate 소스 전압에 드레인 (Vdss) 12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A 구성 2 P-Channel (Dual)
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제품 모델

SI6943BDQ-T1-E3

소개

이 제품은 쌍채널 P-채널 모스페트 배열로, 고성능 전력 관리에 적합합니다.

브랜드 및 제조사

브랜드: Vishay / 제조사: Siliconix

특징 및 기능

로직 레벨 게이트, 쌍채널 P-채널 구성, 트렌치FET 시리즈, RoHS 규격 준수

제품 성능

최대 전력 800mW, 연속 드레인 전류 2.3A, 낮은 Rds On 80mΩ, 작동 온도 범위 -55°C에서 150°C

기술 사양

FET 타입: P-채널 모스페트, 드레인에서 소스 전압 12V, 게이트 전하 10nC

크기, 형태 및 포장

패키지: 8-TSSOP, 폭: 4.40mm, 자동 조립을 위한 테이프 & 리얼 패킹

품질 및 신뢰성

고온 성능, 납 없는 구성 요소

제품 장점

전력 관리 효율성, 부피에 민감한 응용을 위한 컴팩트한 크기

제품 경쟁력

경쟁력 있는 Rds On 값, 작은 패키지에서의 고성능

호환성

표면 부착 기술(SMT) 호환

표준 인증 및 준수

환경 기준 준수를 위한 RoHS 규격

수명 및 지속 가능성

넓은 온도 범위에서의 내구성

실제 적용 분야

전력 관리 회로, 이동식 전자제품, 소비자 전자제품, 통신 기술

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