SI6943BDQ-T1-E3 | |
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제품 모델 | SI6943BDQ-T1-E3 |
제조사 | Vishay Siliconix |
기술 | MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP |
가능 수량 | 24419 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.SI6943BDQ-T1-E3.pdf2.SI6943BDQ-T1-E3.pdf3.SI6943BDQ-T1-E3.pdf |
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SI6943BDQ-T1-E3 Price |
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SI6943BDQ-T1-E3의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | SI6943BDQ-T1-E3 | 범주 | |
제조사 | Vishay / Siliconix | 기술 | MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP |
패키지 / 케이스 | 8-TSSOP | 가능 수량 | 24419 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 800mV @ 250µA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | 8-TSSOP | 연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 80mOhm @ 2.5A, 4.5V | 전력 - 최대 | 800mW |
패키지 / 케이스 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 패키지 | Tape & Reel (TR) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 12V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.3A | 구성 | 2 P-Channel (Dual) |
기본 제품 번호 | SI6943 | SI6943BDQ-T1-E3 세부 정보 PDF [English] | SI6943BDQ-T1-E3 PDF - EN.pdf |
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SI6943BDQ-T1-E3
이 제품은 쌍채널 P-채널 모스페트 배열로, 고성능 전력 관리에 적합합니다.
브랜드: Vishay / 제조사: Siliconix
로직 레벨 게이트, 쌍채널 P-채널 구성, 트렌치FET 시리즈, RoHS 규격 준수
최대 전력 800mW, 연속 드레인 전류 2.3A, 낮은 Rds On 80mΩ, 작동 온도 범위 -55°C에서 150°C
FET 타입: P-채널 모스페트, 드레인에서 소스 전압 12V, 게이트 전하 10nC
패키지: 8-TSSOP, 폭: 4.40mm, 자동 조립을 위한 테이프 & 리얼 패킹
고온 성능, 납 없는 구성 요소
전력 관리 효율성, 부피에 민감한 응용을 위한 컴팩트한 크기
경쟁력 있는 Rds On 값, 작은 패키지에서의 고성능
표면 부착 기술(SMT) 호환
환경 기준 준수를 위한 RoHS 규격
넓은 온도 범위에서의 내구성
전력 관리 회로, 이동식 전자제품, 소비자 전자제품, 통신 기술
SI6943BDQ-T1-E3 증권 | SI6943BDQ-T1-E3 가격 | SI6943BDQ-T1-E3 전자 | |||
SI6943BDQ-T1-E3 구성 요소 | 인벤토리 | SI6943BDQ-T1-E3 Digikey | |||
공급 업체 SI6943BDQ-T1-E3 | SI6943BDQ-T1-E3 온라인 주문 | 문의 SI6943BDQ-T1-E3 | |||
SI6943BDQ-T1-E3 이미지 | SI6943BDQ-T1-E3 그림 | SI6943BDQ-T1-E3 PDF | |||
SI6943BDQ-T1-E3 데이터 시트 | SI6943BDQ-T1-E3 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Vishay / Siliconix |
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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