| SI7460DP-T1-E3 | |
|---|---|
| 제품 모델 | SI7460DP-T1-E3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| 가능 수량 | 7442 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.SI7460DP-T1-E3.pdf2.SI7460DP-T1-E3.pdf |
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| SI7460DP-T1-E3 Price |
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| SI7460DP-T1-E3의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | SI7460DP-T1-E3 | 범주 | |
| 제조사 | Vishay / Siliconix | 기술 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 | 가능 수량 | 7442 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 |
| 연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 9.6mOhm @ 18A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 1.9W (Ta) | 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Ta) | 기본 제품 번호 | SI7460 |
| SI7460DP-T1-E3 세부 정보 PDF [English] | SI7460DP-T1-E3 PDF - EN.pdf | ||
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제품 모델
SI7460DP-T1-E3
소개
Vishay Siliconix의 PowerPAK SO-8 N채널 MOSFET입니다.
브랜드 및 제조사
Vishay / Siliconix
특징 및 기능
N채널 TrenchFET 기술, 낮은 온 저항으로 인한 높은 효율성, 향상된 전력 밀도.
제품 성능
-55°C에서 150°C까지 작동, 25°C에서 11A의 지속적인 드레인 전류 용량, 주변 온도에서 1.9W의 전력 손실.
기술 사양
드레인-소스 전압(Vdss) 60V, 게이트-소스 기준 전압(Vgs(th)) 최대 3V에서 250µA, 정적 드레인-소스 온 저항(Rds On) 10V에서 18A의 경우 9.6 mOhm.
크기, 형태 및 포장
PowerPAK SO-8 패키지, 자동 조립용으로 테이프 및 릴(TR)로 공급.
품질 및 신뢰성
무연 및 RoHS 준수, 일관된 성능과 높은 신뢰성을 위해 설계.
제품 장점
낮은 열 저항, 높은 전력 밀도 응용에 적합.
제품 경쟁력
고효율 전력 관리 응용에서 경쟁력 있음.
호환성
자동 조립 공정과 호환 가능, 표면 실장 기술 호환.
표준 인증 및 준수
무연 및 RoHS 준수, 환경과 건강 기준의 준수를 보장.
수명 및 지속 가능성
지정된 조건에서 긴 운영 수명을 보장하는 내구성.
실제 적용 분야
전원 공급 장치, 전력 관리, DC-DC 변환기, 스위칭 응용.
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ SI7460DP-T1-E3 온라인.
| SI7460DP-T1-E3 증권 | SI7460DP-T1-E3 가격 | SI7460DP-T1-E3 전자 | |||
| SI7460DP-T1-E3 구성 요소 | 인벤토리 | SI7460DP-T1-E3 Digikey | |||
| 공급 업체 SI7460DP-T1-E3 | SI7460DP-T1-E3 온라인 주문 | 문의 SI7460DP-T1-E3 | |||
| SI7460DP-T1-E3 이미지 | SI7460DP-T1-E3 그림 | SI7460DP-T1-E3 PDF | |||
| SI7460DP-T1-E3 데이터 시트 | SI7460DP-T1-E3 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Vishay / Siliconix | |||
| SI7460DP-T1-E3 관련 부품 | |||||
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| 영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-E3 MOS | VISHAT QFN-8 | VISHAT | ||
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SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7459DP-T1-E3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SI7459DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7460DP | SI7460DP SI | SI | ||
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SI7460DP-T1-E3 MOS | VBSEMI QFN8 | VBSEMI | ||
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SI7458DP-T1-GE3 | SI7458DP-T1-GE3 VISHAY | VISHAY | ||
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SI7460DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7461DP | SI7461DP VISHAY | VISHAY | ||
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SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7461DP-T1-GE3 IC | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
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SI7459DP-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7458DP-T1-E3 | SI7458DP-T1-E3 VISHAT | VISHAT | ||
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SI7459DP | SI7459DP VISHAY | VISHAY | ||
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