| SI7540DP-T1-E3 | |
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| 제품 모델 | SI7540DP-T1-E3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| 가능 수량 | 2835 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.SI7540DP-T1-E3.pdf2.SI7540DP-T1-E3.pdf |
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| SI7540DP-T1-E3 Price |
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| SI7540DP-T1-E3의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | SI7540DP-T1-E3 | 범주 | |
| 제조사 | Vishay / Siliconix | 기술 | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 Dual | 가능 수량 | 2835 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V | 전력 - 최대 | 1.4W |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 Dual | 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 12V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.6A, 5.7A | 구성 | N and P-Channel |
| 기본 제품 번호 | SI7540 | SI7540DP-T1-E3 세부 정보 PDF [English] | SI7540DP-T1-E3 PDF - EN.pdf |
| 다운로드 | SI7540DP-T1-E3 세부 정보 PDF | ||
제품 모델
SI7540DP-T1-E3
소개
N 및 P-채널 MOSFET 배열
브랜드 및 제조사
Vishay / Siliconix
특징 및 기능
논리 레벨 게이트, 향상된 전력 처리, 이중 N 및 P-채널 MOSFET 구성, 낮은 온 저항
제품 성능
N-채널의 연속 드레인 전류는 7.6A, P-채널은 5.7A, -55°C에서 150°C까지 작동 가능, 낮은 게이트 전하
기술 사양
FET 유형: N 및 P-채널, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, Rds 온 (최대): 17 mOhm, 게이트 전하 (Qg): 17nC, Vgs(th) (최대): 1.5V
크기, 형태 및 포장
서피스 마운트 파워PAK SO-8 이중 패키지, 자동 조립을 위한 테이프 & 릴 (TR)
품질 및 신뢰성
반도체 기술 분야의 선두주자인 Vishay에서 제조
제품 장점
전도 손실 감소로 높은 효율성, 논리 레벨 게이트 스레시홀드로 더 쉽게 구동 가능
제품 경쟁력
경쟁력 있는 Rds(on) 및 게이트 전하 성능, 고밀도 전력 관리 응용 분야에 적합
호환성
서피스 마운트 기술과 호환 가능, 논리 레벨 게이트 드라이브 회로에 적용 가능
표준 인증 및 준수
전자 구성 요소에 대한 산업 표준 준수
수명 및 지속 가능성
-55°C에서 150°C까지의 작동 온도에서 강건성 유지
실제 적용 분야
전력 관리, 통신, 컴퓨팅, 배터리 관리 시스템, 부하 전환
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ SI7540DP-T1-E3 온라인.
| SI7540DP-T1-E3 증권 | SI7540DP-T1-E3 가격 | SI7540DP-T1-E3 전자 |
| SI7540DP-T1-E3 구성 요소 | 인벤토리 | SI7540DP-T1-E3 Digikey |
| 공급 업체 SI7540DP-T1-E3 | SI7540DP-T1-E3 온라인 주문 | 문의 SI7540DP-T1-E3 |
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