| SIE808DF-T1-E3 | |
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| 제품 모델 | SIE808DF-T1-E3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| 가능 수량 | 2955 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | SIE808DF-T1-E3.pdf |
| 다운로드 | SIE808DF-T1-E3 세부 정보 PDF |
| SIE808DF-T1-E3 Price |
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| SIE808DF-T1-E3의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | SIE808DF-T1-E3 | 범주 | |
| 제조사 | Vishay / Siliconix | 기술 | MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| 패키지 / 케이스 | 10-PolarPAK® (L) | 가능 수량 | 2955 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 10-PolarPAK® (L) |
| 연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.6mOhm @ 25A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) | 패키지 / 케이스 | 10-PolarPAK® (L) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8800 pF @ 10 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 60A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | SIE808 | SIE808DF-T1-E3 세부 정보 PDF [English] | SIE808DF-T1-E3 PDF - EN.pdf |
| 다운로드 | SIE808DF-T1-E3 세부 정보 PDF | ||
제품 모델
SIE808DF-T1-E3
소개
고성능 N-채널 MOSFET
브랜드 및 제조사
Vishay / Siliconix
특징 및 기능
TrenchFET 기술
최대 연속 드레인 전류 60A
낮은 온 저항 1.6 mOhm
빠른 스위칭 속도
제품 성능
전력 손실 감소로 높은 효율성
열 관리 능력
기술 사양
MOSFET(금속 산화물) 기술
크기, 형태 및 포장
10-PolarPAK(L) 패키지
표면 장착
테이프 및 릴(TR) 포장
품질 및 신뢰성
-55°C에서 150°C까지 온도에서 작동
제품 장점
전력 밀도가 높은 어플리케이션을 위한 에너지 절약
제품 경쟁력
전력 MOSFET 시장의 선두주자
호환성
표준 표면 장착 공정과 호환 가능
표준 인증 및 준수
MOSFET에 대한 산업 표준 준수
수명 및 지속 가능성
장기적인 신뢰성을 고려하여 설계됨
실제 적용 분야
컴퓨팅의 전력 관리
통신 인프라
산업 응용
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ SIE808DF-T1-E3 온라인.
| SIE808DF-T1-E3 증권 | SIE808DF-T1-E3 가격 | SIE808DF-T1-E3 전자 |
| SIE808DF-T1-E3 구성 요소 | 인벤토리 | SIE808DF-T1-E3 Digikey |
| 공급 업체 SIE808DF-T1-E3 | SIE808DF-T1-E3 온라인 주문 | 문의 SIE808DF-T1-E3 |
| SIE808DF-T1-E3 이미지 | SIE808DF-T1-E3 그림 | SIE808DF-T1-E3 PDF |
| SIE808DF-T1-E3 데이터 시트 | SIE808DF-T1-E3 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Vishay / Siliconix |
