SIR470DP-T1-GE3
제품 모델 SIR470DP-T1-GE3
제조사 Vishay Siliconix
기술 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
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SIR470DP-T1-GE3의 기술 정보
제조업체 부품 번호 SIR470DP-T1-GE3 범주  
제조사 Vishay / Siliconix 기술 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 가능 수량 31246 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 250µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
연속 TrenchFET® 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.3mOhm @ 20A, 10V
전력 소비 (최대) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5660 pF @ 20 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 155 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 40 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60A (Tc)
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제품 모델

SIR470DP-T1-GE3

소개

고성능 N-채널 TrenchFET 파워 MOSFET

브랜드 및 제조사

Vishay / Siliconix

특징 및 기능

MOSFET(금속 산화물) 기술, N-채널 타입, 자동 조립을 위한 테이프 & 릴(TR) 포장, 표면 실장 기술(SMT) 호환, 환경 안전을 위한 RoHS 준수, 독성이 줄어든 무연 설계

제품 성능

드레인-소스 전압(Vdss) 40V 지원, 25°C(Tc)에서 연속 드레인 전류(Id) 60A, 20A, 10V에서 저온 저항 Rds On 2.3 mOhm, 10V에서 155nC의 게이트 전하(Qg), 20V에서 5660pF의 입력 캐패시턴스(Ciss), 150°C(TJ)까지 높은 온도 견딜 수 있음

기술 사양

전력 소산 6.25W(Ta), 104W(Tc), 250A에서 2.5V의 게이트 임계 전압(Vgs(th)), 4.5V(최대 Rds On), 10V(최소 Rds On) 드라이브 전압, 게이트 소스 전압(Vgs max) ±20V

크기, 형태 및 포장

PowerPAK SO-8 패키지, 공급업체 장치 패키지 PowerPAK SO-8, 효율적인 조립 프로세스를 위한 테이프 & 릴(TR) 포장

품질 및 신뢰성

신뢰할 수 있는 Vishay / Siliconix에 의해 제작, 지속적인 성능을 위한 강력한 구조

제품 장점

높은 드레인 전류 능력, 낮은 Rds On으로 향상된 전력 효율성, 고밀도 전력 응용 분야에 적합

제품 경쟁력

고성능 이산 반도체 분야에서 경쟁력, 가격과 성능의 균형 제공

호환성

표준 SMT 제조 프로세스와 호환, PowerPAK SO-8 표준 풋프린트 및 조립 기술에 적합

표준 인증 및 준수

환경 및 소비자 안전을 위한 RoHS 준수

수명 및 지속 가능성

지정된 조건에서 긴 작업 수명을 위해 설계됨

실제 적용 분야

컴퓨팅 및 네트워킹 장비의 전력 관리, DC/DC 컨버터, 모터 드라이브, 배터리 구동 시스템, 효율적인 에너지 제어가 필요한 스위칭 응용 프로그램

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