W97AH6KBVX2E
제품 모델 W97AH6KBVX2E
제조사 Winbond Electronics
기술 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
가능 수량 2502 pcs new original in stock.
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W97AH6KBVX2E의 기술 정보
제조업체 부품 번호 W97AH6KBVX2E 범주 집적회로 (ic)
제조사 Winbond Electronics Corporation 기술 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
패키지 / 케이스 134-VFBGA (10x11.5) 가능 수량 2502 pcs
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 15ns 전압 - 공급 1.14V ~ 1.95V
과학 기술 SDRAM - Mobile LPDDR2 제조업체 장치 패키지 134-VFBGA (10x11.5)
연속 - 패키지 / 케이스 134-VFBGA
패키지 Tray 작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC)
실장 형 Surface Mount 메모리 유형 Volatile
메모리 크기 1Gbit 메모리 조직 64M x 16
메모리 인터페이스 Parallel 메모리 형식 DRAM
클럭 주파수 400 MHz 기본 제품 번호 W97AH6
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제품 모델

W97AH6KBVX2E

소개

Winbond에서 제조한 1Gbit 모바일 LPDDR2 SDRAM으로, 고속 데이터 저장 및 검색을 위해 설계되었습니다.

브랜드 및 제조사

윈본드 일렉트로닉스

특징 및 기능

고밀도 메모리 저장, 저전력 소비, 고속 데이터 전송

제품 성능

빠른 접근 시간을 가진 휘발성 메모리, 효율적인 데이터 검색을 위한 64M x 16 조직, 빠른 읽기/쓰기 작업을 가능하게 하는 400 MHz 클럭 주파수

기술 사양

SDRAM – 모바일 LPDDR2 기술, 클럭 주파수: 400 MHz, 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: 15ns, 병렬 메모리 인터페이스

크기, 형태 및 포장

표면 장착 134-VFBGA 패키지, 물리적 패키지 치수: 10x11.5 mm

품질 및 신뢰성

-25°C에서 85°C까지의 작동 테스트 완료, 다양한 환경 조건에서 안정적인 성능 제공

제품 장점

14V에서 1.95V까지의 저전압 공급 범위로 전력 사용량 감소, 소형 패키지로 인해 콤팩트한 응용 프로그램에 적합

제품 경쟁력

활성 제품 상태로 지속적인 지원 및 가용성 보장, 고속 저전력 메모리 모듈에서 경쟁 우위

호환성

병렬 인터페이스를 통한 다양한 프로세서 및 컨트롤러와의 호환성

표준 인증 및 준수

휘발성 메모리 기술에 대한 산업 표준 준수

수명 및 지속 가능성

폭넓은 응용 프로그램에서 장기적인 신뢰성 설계

실제 적용 분야

모바일 장치, 임베디드 시스템, 소비자 전자기기 및 기타 고속 메모리 응용 프로그램

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