BSP315PH6327XTSA1 | |
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제품 모델 | BSP315PH6327XTSA1 |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 |
가능 수량 | 8510 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | |
BSP315PH6327XTSA1 Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
BSP315PH6327XTSA1의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | BSP315PH6327XTSA1 | 범주 | |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 |
패키지 / 케이스 | PG-SOT223-4 | 가능 수량 | 8510 pcs |
조건 | New Original Stock | 보증 | 100% Perfect Functions |
리드 타임 | 2-3days after payment. | 지불 | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
출하 기준 | DHL / Fedex / UPS | 포트 | HongKong |
RFQ 이메일 | |||
다운로드 | BSP315PH6327XTSA1 PDF - EN.pdf |
BSP315PH6327XTSA1
이 제품은 높은 효율성과 전력 밀도를 제공하는 단일 MOSFET 트랜지스터입니다.
이 제품은 Infineon Technologies의 일부인 International Rectifier에 의해 제조됩니다.
시리즈: SIPMOS
기술: MOSFET (메탈 산화물)
FET 유형: P-채널
작동 온도: -55도에서 150도 C (TJ)
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
입력 정전용량 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V
Vgs (최대): ±20V
이 MOSFET는 25도 C에서 연속 드레인 전류 1.17A와 함께 최대 드레인-소스 전압 60V를 갖습니다. Rds on은 1.17A, 10V에서 최대 800 mOhm입니다. 구동 전압은 최대 Rds on에서 4.5V이며, 최소 Rds on에서 10V입니다.
표면 실장 기술을 사용하며 TO-261-4, TO-261AA 패키지에 포함되어 있습니다. 공급자의 장치 패키지는 PG-SOT223-4입니다.
테이프와 릴 포장으로 배송되며, 구체적인 치수는 제공된 매개변수에 명시되어 있지 않습니다.
이 제품은 이산 반도체 제조업체로 잘 알려진 International Rectifier (Infineon Technologies)에서 생산됩니다. 이 제품은 -55도 C에서 150도 C까지의 온도에서 작동할 수 있습니다.
높은 전력 밀도를 제공하며 효율적으로 작동합니다.
극한의 온도 범위에서도 신뢰성 있게 작동하여 다양한 응용 분야에 적합합니다.
표준 인증 및 준수 덕분에 다양한 유형의 회로와 잘 통합됩니다.
표준 반도체 제조 프로토콜을 준수합니다. 구체적인 인증 세부사항은 제공된 매개변수에 명시되어 있지 않습니다.
내구성이 뛰어나며 긴 수명을 가지고 있으며, 넓은 온도 범위에서 효과적으로 작동합니다.
이러한 유형의 구성 요소는 전원 공급 장치, 모터 드라이브 및 높은 전력 효율이 필요한 기타 시스템과 같은 응용 분야에서 사용됩니다.
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공급 업체 BSP315PH6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 온라인 주문 | 문의 BSP315PH6327XTSA1 | |||
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