IPG20N06S4L26ATMA1 | |
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제품 모델 | IPG20N06S4L26ATMA1 |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 |
가능 수량 | 5500 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.IPG20N06S4L26ATMA1.pdf2.IPG20N06S4L26ATMA1.pdf3.IPG20N06S4L26ATMA1.pdf4.IPG20N06S4L26ATMA1.pdf |
IPG20N06S4L26ATMA1 Price |
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IPG20N06S4L26ATMA1의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IPG20N06S4L26ATMA1 | 범주 | |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 |
패키지 / 케이스 | PG-TDSON-8-4 | 가능 수량 | 5500 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 10µA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | PG-TDSON-8-4 | 연속 | OptiMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 26mOhm @ 17A, 10V | 전력 - 최대 | 33W |
패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | 패키지 | Tape & Reel (TR) |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1430pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A | 구성 | 2 N-Channel (Dual) |
기본 제품 번호 | IPG20N | ||
다운로드 | IPG20N06S4L26ATMA1 PDF - EN.pdf |
IPG20N06S4L26ATMA1
고성능 N채널 로직 레벨 MOSFET
국제 직류 변환기 (인피니언 테크놀로지스)
듀얼 MOSFET 구성, 낮은 온 저항 26mΩ, 로직 레벨 게이트 구동
20A의 높은 연속 드레인 전류, 33W의 효율적인 전력 처리 능력
60V 드레인-소스 전압, 20nC 게이트 전하, 1430pF 입력 커패시턴스
표면 장착 8-PowerVDFN, PG-TDSON-8-4 패키지, 자동 조립용 테이프 및 릴(TR)
무연 및 RoHS 준수, -55°C에서 175°C까지 작동
로직 레벨 응용에 적합, 높은 열 성능
고밀도 전력 설계에 최적화
표준 표면 장착 공정과 호환
RoHS 환경 기준 충족
산업 응용을 위한 장기 신뢰성
전력 관리, 자동차, 컴퓨팅 및 모터 제어 시스템
IPG20N06S4L26ATMA1 증권 | IPG20N06S4L26ATMA1 가격 | IPG20N06S4L26ATMA1 전자 |
IPG20N06S4L26ATMA1 구성 요소 | 인벤토리 | IPG20N06S4L26ATMA1 Digikey |
공급 업체 IPG20N06S4L26ATMA1 | IPG20N06S4L26ATMA1 온라인 주문 | 문의 IPG20N06S4L26ATMA1 |
IPG20N06S4L26ATMA1 이미지 | IPG20N06S4L26ATMA1 그림 | IPG20N06S4L26ATMA1 PDF |
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