IPG20N10S4L22ATMA1 | |
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제품 모델 | IPG20N10S4L22ATMA1 |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
가능 수량 | 2956 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf2.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf3.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf4.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf5.IPG20N10S4L22ATMA1.pdf |
IPG20N10S4L22ATMA1 Price |
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IPG20N10S4L22ATMA1의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IPG20N10S4L22ATMA1 | 범주 | |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
패키지 / 케이스 | PG-TDSON-8-4 | 가능 수량 | 2956 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.1V @ 25µA | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | PG-TDSON-8-4 | 연속 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 22mOhm @ 17A, 10V | 전력 - 최대 | 60W |
패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | 패키지 | Tape & Reel (TR) |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1755pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 27nC @ 10V |
FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A | 구성 | 2 N-Channel (Dual) |
기본 제품 번호 | IPG20N | ||
다운로드 | IPG20N10S4L22ATMA1 PDF - EN.pdf |
IPG20N10S4L22ATMA1
N채널 로직 레벨 게이트 MOSFET
인피니언 테크놀로지스 (구 국제 정류기)
이중 N채널 MOSFET
로직 레벨 게이트
AEC-Q101 인증
자동차 응용을 위한 설계
높은 효율을 위한 OptiMOS 기술
높은 전류 용량 - 지속적인 배수 20A
낮은 온 저항 - 22 mΩ
강화된 전력 처리 - 최대 60W
강력한 열 성능 - 작동 온도 -55°C ~ 175°C
드레인 대 소스 전압 (Vdss) - 100V
게이트-소스 스레시홀드 전압 (Vgs(th)) - 2.1V @ 25µA
게이트 전하 (Qg) - 27nC
입력 정전 용량 (Ciss) - 1755pF
표면 장착 PG-TDSON-8-4 패키지
제조업체 포장 - PG-TDSON-8-4
포장 - 테이프 및 릴 (TR)
RoHS 준수
무연
엄격한 자동차 기준을 위한 설계
개선된 전력 밀도
더 낮은 전도 손실
전환 손실 감소
고측 및 저측 구성
경쟁력 있는 온 저항
전력 변환 응용을 위한 높은 효율
고온 제약 환경에 적합
일반 표면 장착 기술에 적합
표준 구동 전압과 호환되는 로직 레벨 게이트
자동차 신뢰성을 위한 AEC-Q101 인증
환경 보호를 위한 RoHS 준수
열악한 환경에서의 긴 수명을 위해 설계됨
에너지 소비 및 열 발생 감소를 최적화함
자동차 전자
전력 관리
DC-DC 변환기
모터 구동
배터리 관리 시스템
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IPG20N10S4L22ATMA1 구성 요소 | 인벤토리 | IPG20N10S4L22ATMA1 Digikey |
공급 업체 IPG20N10S4L22ATMA1 | IPG20N10S4L22ATMA1 온라인 주문 | 문의 IPG20N10S4L22ATMA1 |
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