| SIHG33N60E-GE3 | |
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| 제품 모델 | SIHG33N60E-GE3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
| 가능 수량 | 3059 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.SIHG33N60E-GE3.pdf2.SIHG33N60E-GE3.pdf3.SIHG33N60E-GE3.pdf |
| SIHG33N60E-GE3 Price |
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| SIHG33N60E-GE3의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | SIHG33N60E-GE3 | 범주 | |
| 제조사 | Vishay / Siliconix | 기술 | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC |
| 패키지 / 케이스 | TO-247AC | 가능 수량 | 3059 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-247AC |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 278W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 패키지 | Tube | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3508 pF @ 100 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 33A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | SIHG33 | ||
| 다운로드 | SIHG33N60E-GE3 PDF - EN.pdf | ||
제품 모델
SIHG33N60E-GE3
소개
이 제품은 다양한 전력 응용 분야를 위해 설계된 고전압, 고성능 N-채널 MOSFET입니다.
브랜드 및 제조사
Vishay Siliconix
특징 및 기능
높은 드레인-소스 전압, 효율적인 전도성을 위한 N-채널, 지속적인 고전류를 처리할 수 있는 능력
제품 성능
278W의 높은 전력 손실, 에너지 효율성을 위한 낮은 Rds On, 강력한 열 관리 기능
기술 사양
MOSFET 기술, 600V 드레인-소스 전압, 33A 지속 드레인 전류
크기, 형태 및 포장
TO-247AC 패키지, 관통 구멍 장착형, 튜브 포장으로 공급됨
품질 및 신뢰성
무연 및 RoHS 준수, 넓은 작동 온도에서 강인함
제품 장점
높은 전압 처리 능력, 에너지 효율적 작동, 고전력 밀도 응용 분야에 적합
제품 경쟁력
고전압 응용 분야에서의 경쟁 우위를 제공
호환성
N-채널 MOSFET가 필요한 다양한 회로와 호환 가능
표준 인증 및 준수
환경 기준을 위한 RoHS 준수
수명 및 지속 가능성
어려운 조건에서도 장기적인 신뢰성을 가지고 설계됨
실제 적용 분야
컴퓨팅, 자동차 및 산업 시스템 등에서 전력 관리 응용에 적합
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ SIHG33N60E-GE3 온라인.
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| SIHG33N60E-GE3 구성 요소 | 인벤토리 | SIHG33N60E-GE3 Digikey |
| 공급 업체 SIHG33N60E-GE3 | SIHG33N60E-GE3 온라인 주문 | 문의 SIHG33N60E-GE3 |
| SIHG33N60E-GE3 이미지 | SIHG33N60E-GE3 그림 | SIHG33N60E-GE3 PDF |
| SIHG33N60E-GE3 데이터 시트 | SIHG33N60E-GE3 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Vishay / Siliconix |
