| SIHG47N60E-E3 | |
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| 제품 모델 | SIHG47N60E-E3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC |
| 가능 수량 | 2688 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.SIHG47N60E-E3.pdf2.SIHG47N60E-E3.pdf3.SIHG47N60E-E3.pdf |
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| SIHG47N60E-E3 Price |
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| SIHG47N60E-E3의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | SIHG47N60E-E3 | 범주 | |
| 제조사 | Vishay / Siliconix | 기술 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC |
| 패키지 / 케이스 | TO-247AC | 가능 수량 | 2688 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-247AC |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 64mOhm @ 24A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 357W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 패키지 | Tube | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9620 pF @ 100 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 220 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 47A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | SIHG47 | SIHG47N60E-E3 세부 정보 PDF [English] | SIHG47N60E-E3 PDF - EN.pdf |
| 다운로드 | SIHG47N60E-E3 세부 정보 PDF | ||
제품 모델
SIHG47N60E-E3
소개
고전압 N채널 MOSFET
브랜드 및 제조사
비셰이 / 실리콘닉스
특징 및 기능
600V의 높은 드레인-소스 전압
25°C에서 47A의 지속적인 드레인 전류
관통홀 장착형
357W의 높은 전력 분산 능력
제품 성능
-55°C에서 150°C 범위의 작동 온도
24A 및 10V에서 64 mOhm의 낮은 Rds(온) 값
10V에서 220nC의 높은 게이트 전하
최대 Vgs ±30V
기술 사양
FET 유형: N-채널
패키지 / 케이스: TO-247-3
구동 전압: 10V (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
크기, 형태 및 포장
TO-247-3 패키지
배송 및 취급을 위한 튜브 포장
품질 및 신뢰성
고온 작동에 적합한 견고한 설계
제품 장점
효율적인 전력 처리 및 열 관리
고전압 응용에 적합
제품 경쟁력
고전압 및 고전류 기능이 요구되는 시장에서 효과적으로 경쟁
호환성
관통홀 구성 요소를 요구하는 다양한 전자 조립품과 호환
표준 인증 및 준수
전자 부품에 대한 산업 표준 사양 준수
수명 및 지속 가능성
다양한 환경 조건에서의 장기적 신뢰성을 위해 설계됨
실제 적용 분야
전원 공급 장치
모터 드라이브
전력 관리 시스템
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ SIHG47N60E-E3 온라인.
| SIHG47N60E-E3 증권 | SIHG47N60E-E3 가격 | SIHG47N60E-E3 전자 |
| SIHG47N60E-E3 구성 요소 | 인벤토리 | SIHG47N60E-E3 Digikey |
| 공급 업체 SIHG47N60E-E3 | SIHG47N60E-E3 온라인 주문 | 문의 SIHG47N60E-E3 |
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| SIHG47N60E-E3 데이터 시트 | SIHG47N60E-E3 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Vishay / Siliconix |
