SI7748DP-T1-GE3의 기술 정보
제조업체 부품 번호
SI7748DP-T1-GE3
범주
이산 반도체 제품
제조사
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
패키지 / 케이스
Digi-Reel®
가능 수량
45272 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대)
2.7V @ 1mA
Vgs (최대)
±20V
과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
연속
SkyFET®, TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
4.8 mOhm @ 15A, 10V
전력 소비 (최대)
4.8W (Ta), 56W (Tc)
포장
Original-Reel®
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
다른 이름들
SI7748DP-T1-GE3DKR
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
수분 민감도 (MSL)
1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3770pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
92nC @ 10V
FET 유형
N-Channel
FET 특징
-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)
30V
상세 설명
N-Channel 30V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
50A (Tc)
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