SI7792DP-T1-GE3
제품 모델 SI7792DP-T1-GE3
제조사 Vishay Siliconix
기술 MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK
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SI7792DP-T1-GE3의 기술 정보
제조업체 부품 번호 SI7792DP-T1-GE3 범주  
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay 기술 MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 가능 수량 2575 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 250µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
연속 SkyFET®, TrenchFET® Gen III 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.1mOhm @ 20A, 10V
전력 소비 (최대) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4735 pF @ 15 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 135 nC @ 10 V FET 유형 N-Channel
FET 특징 Schottky Diode (Body) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30 V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40.6A (Ta), 60A (Tc)
기본 제품 번호 SI7792 SI7792DP-T1-GE3 세부 정보 PDF [English] SI7792DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf
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제품 모델

SI7792DP-T1-GE3

소개

N-채널 파워 MOSFET와 쇼트키 다이오드

브랜드 및 제조사

Electro-Films (EFI) / Vishay

특징 및 기능

MOSFET (메탈 산화물), N-채널, 집적 쇼트키 다이오드 (바디 다이오드), 높은 지속 전류, 납 없음 / RoHS 준수, 표면 장착 기술

제품 성능

높은 전력 소산, 효율적인 열 관리, 낮은 Rds On으로 개선된 효율성, 높은 드레인-소스 전압, 빠른 스위칭

기술 사양

드레인-소스 전압 30V, 지속 전류 40.6A에서 60A, 20A, 10V에서 2.1 mΩ Rds On, 4.5V에서 10V 구동 전압, 10V에서 게이트 전하 135nC, 15V에서 입력 정전 용량 4.735nF, 게이트-소스 전압 ±20V

크기, 형태 및 포장

PowerPAK SO-8 패키지, 자동 조립을 위한 테이프 및 릴 포장

품질 및 신뢰성

습기 민감도 수준 1, 내구성을 위한 견고한 구조

제품 장점

낮은 전도 손실, 고속 스위칭 기능, 효율적인 전력 변환

제품 경쟁력

우수한 성능을 위한 TrenchFET Gen III 기술, 품질로 유명한 SkyFET 시리즈

호환성

다른 표면 장착 장치와 호환 가능, 간소화된 회로 설계를 위한 집적 바디 다이오드

표준 인증 및 준수

납 없음, RoHS 준수

수명 및 지속 가능성

장기 신뢰성으로 설계됨

실제 적용 분야

전력 관리, DC/DC 컨버터, 모터 구동, 컴퓨팅, 통신

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공급 업체 SI7792DP-T1-GE3SI7792DP-T1-GE3 온라인 주문 문의 SI7792DP-T1-GE3
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