SI7792DP-T1-GE3 | |
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제품 모델 | SI7792DP-T1-GE3 |
제조사 | Vishay Siliconix |
기술 | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
가능 수량 | 2575 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.SI7792DP-T1-GE3.pdf2.SI7792DP-T1-GE3.pdf |
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SI7792DP-T1-GE3 Price |
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SI7792DP-T1-GE3의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | SI7792DP-T1-GE3 | 범주 | |
제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay | 기술 | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 | 가능 수량 | 2575 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 |
연속 | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
전력 소비 (최대) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4735 pF @ 15 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | Schottky Diode (Body) | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40.6A (Ta), 60A (Tc) |
기본 제품 번호 | SI7792 | SI7792DP-T1-GE3 세부 정보 PDF [English] | SI7792DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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SI7792DP-T1-GE3
N-채널 파워 MOSFET와 쇼트키 다이오드
Electro-Films (EFI) / Vishay
MOSFET (메탈 산화물), N-채널, 집적 쇼트키 다이오드 (바디 다이오드), 높은 지속 전류, 납 없음 / RoHS 준수, 표면 장착 기술
높은 전력 소산, 효율적인 열 관리, 낮은 Rds On으로 개선된 효율성, 높은 드레인-소스 전압, 빠른 스위칭
드레인-소스 전압 30V, 지속 전류 40.6A에서 60A, 20A, 10V에서 2.1 mΩ Rds On, 4.5V에서 10V 구동 전압, 10V에서 게이트 전하 135nC, 15V에서 입력 정전 용량 4.735nF, 게이트-소스 전압 ±20V
PowerPAK SO-8 패키지, 자동 조립을 위한 테이프 및 릴 포장
습기 민감도 수준 1, 내구성을 위한 견고한 구조
낮은 전도 손실, 고속 스위칭 기능, 효율적인 전력 변환
우수한 성능을 위한 TrenchFET Gen III 기술, 품질로 유명한 SkyFET 시리즈
다른 표면 장착 장치와 호환 가능, 간소화된 회로 설계를 위한 집적 바디 다이오드
납 없음, RoHS 준수
장기 신뢰성으로 설계됨
전력 관리, DC/DC 컨버터, 모터 구동, 컴퓨팅, 통신
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SI7792DP-T1-GE3 관련 부품 | |||||
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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