SI7806ADN-T1-E3
제품 모델 SI7806ADN-T1-E3
제조사 Vishay Siliconix
기술 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
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SI7806ADN-T1-E3의 기술 정보
제조업체 부품 번호 SI7806ADN-T1-E3 범주  
제조사 Vishay / Siliconix 기술 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 가능 수량 25720 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 3V @ 250µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8
연속 TrenchFET® 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 11mOhm @ 14A, 10V
전력 소비 (최대) 1.5W (Ta) 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8
패키지 Tape & Reel (TR) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 20 nC @ 5 V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30 V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Ta) 기본 제품 번호 SI7806
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