SI7806ADN-T1-E3 | |
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제품 모델 | SI7806ADN-T1-E3 |
제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
기술 | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 |
가능 수량 | 25602 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | |
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SI7806ADN-T1-E3 Price |
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SI7806ADN-T1-E3의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | SI7806ADN-T1-E3 | 범주 | 이산 반도체 제품 |
제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay | 기술 | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 |
패키지 / 케이스 | Tape & Reel (TR) | 가능 수량 | 25602 pcs |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 |
연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 11 mOhm @ 14A, 10V |
전력 소비 (최대) | 1.5W (Ta) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8 | 다른 이름들 | SI7806ADN-T1-E3TR SI7806ADNT1E3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 27 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 5V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | N-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A (Ta) |
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SI7806ADN-T1-E3 구성 요소 | 인벤토리 | SI7806ADN-T1-E3 Digikey | |||
공급 업체 SI7806ADN-T1-E3 | SI7806ADN-T1-E3 온라인 주문 | 문의 SI7806ADN-T1-E3 | |||
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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SI7804DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
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SI7806ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI7802DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
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SI7806ADN-T1-E3 MOS | VISHAY PowerPAK1212-8 | VISHAY | ||
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SI7804DN-TI-E3 | VISHAY | |||
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SI7804DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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