| SI7772DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| 제품 모델 | SI7772DP-T1-GE3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 |
| 가능 수량 | 17565 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.SI7772DP-T1-GE3.pdf2.SI7772DP-T1-GE3.pdf3.SI7772DP-T1-GE3.pdf4.SI7772DP-T1-GE3.pdf |
| 다운로드 | SI7772DP-T1-GE3 세부 정보 PDF |
| SI7772DP-T1-GE3 Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SI7772DP-T1-GE3의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | SI7772DP-T1-GE3 | 범주 | |
| 제조사 | Vishay / Siliconix | 기술 | MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8 |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 | 가능 수량 | 17565 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 |
| 연속 | SkyFET®, TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 13mOhm @ 15A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) | 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1084 pF @ 15 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35.6A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | SI7772 | SI7772DP-T1-GE3 세부 정보 PDF [English] | SI7772DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
| 다운로드 | SI7772DP-T1-GE3 세부 정보 PDF | ||
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ SI7772DP-T1-GE3 온라인.
| SI7772DP-T1-GE3 증권 | SI7772DP-T1-GE3 가격 | SI7772DP-T1-GE3 전자 |
| SI7772DP-T1-GE3 구성 요소 | 인벤토리 | SI7772DP-T1-GE3 Digikey |
| 공급 업체 SI7772DP-T1-GE3 | SI7772DP-T1-GE3 온라인 주문 | 문의 SI7772DP-T1-GE3 |
| SI7772DP-T1-GE3 이미지 | SI7772DP-T1-GE3 그림 | SI7772DP-T1-GE3 PDF |
| SI7772DP-T1-GE3 데이터 시트 | SI7772DP-T1-GE3 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Vishay / Siliconix |
