| SPA11N60C3IN | |
|---|---|
| 제품 모델 | SPA11N60C3IN |
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 기술 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3-31 |
| 가능 수량 | 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.SPA11N60C3IN.pdf2.SPA11N60C3IN.pdf3.SPA11N60C3IN.pdf |
| SPA11N60C3IN Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SPA11N60C3IN의 기술 정보 | |||
|---|---|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | SPA11N60C3IN | 범주 | 이산 반도체 제품 |
| 제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3-31 |
| 패키지 / 케이스 | PG-TO220-3-31 | 가능 수량 | Available Stock |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.9V @ 500µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PG-TO220-3-31 |
| 연속 | CoolMOS™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 380mOhm @ 7A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 33W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
| 패키지 | Tube | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | SPA11N |
이메일 : Info@Ariat-Tech.com 또는 RFQ SPA11N60C3IN 온라인.
| SPA11N60C3IN 증권 | SPA11N60C3IN 가격 | SPA11N60C3IN 전자 | |||
| SPA11N60C3IN 구성 요소 | 인벤토리 | SPA11N60C3IN Digikey | |||
| 공급 업체 SPA11N60C3IN | SPA11N60C3IN 온라인 주문 | 문의 SPA11N60C3IN | |||
| SPA11N60C3IN 이미지 | SPA11N60C3IN 그림 | SPA11N60C3IN PDF | |||
| SPA11N60C3IN 데이터 시트 | SPA11N60C3IN 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| SPA11N60C3IN 관련 부품 | |||||
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| 영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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SPA11N60CFD | SPA11N60CFD INFINEON | INFINEON | ||
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SPA101M0ER | CAP ALUM POLY 100UF 20% 2.5V SMD | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | ||
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SPA11N60C3XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 | Infineon Technologies | ||
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SPA11N60S5 | INFINEON | |||
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SPA11N60C3 MOS | INFINEON TO-220F | INFINEON | ||
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SPA11N65C3XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP | Infineon Technologies | ||
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