SPA11N80C3
제품 모델 SPA11N80C3
제조사 Infineon Technologies
기술 SPA11N80C3 Infineon Technologies
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SPA11N80C3의 기술 정보
제조업체 부품 번호 SPA11N80C3 범주 이산 반도체 제품
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 SPA11N80C3 Infineon Technologies
패키지 / 케이스 TO220F 가능 수량 9200 pcs
아이디 @ VGS (일) (최대) 3.9V @ 680µA Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 PG-TO220-FP
연속 CoolMOS™ 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 450 mOhm @ 7.1A, 10V
전력 소비 (최대) 34W (Tc) 포장 Tube
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1600pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 85nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 800V 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Tc)
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제품 모델

SPA11N80C3

소개

고효율 전력 변환 응용 분야를 위해 설계된 고전압 N-채널 MOSFET입니다.

브랜드 및 제조사

국제 직류(인피니온 테크놀로지스)

특징 및 기능

에너지 손실 감소를 위한 CoolMOS 기술

높은 내전압(800V)

낮은 온 저항(450 mOhm)

쉬운 장착을 위한 스루홀 패키지

150°C까지 고온 작업에 적합

제품 성능

25°C에서 최대 11A의 연속 드레인 전류를 처리할 수 있습니다.

±20V까지의 게이트-소스 전압 지원

최대 34W의 전력 소산 기능

10V에서 85nC의 게이트 전하로 효율적으로 작동

기술 사양

FET 유형: N-채널 MOSFET

드레인-소스 전압 (Vdss): 800V

연속 드레인 전류 (Id) @ 25°C: 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450 mOhm at 7.1A, 10V

게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC at 10V

입력 정전 용량 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF at 100V

구동 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V

크기, 형태 및 포장

패키지 / 케이스: TO-220-3 전체 팩

공급업체 장치 패키지: PG-TO220-FP

안전한 취급 및 저장을 위한 표준 튜브 포장

품질 및 신뢰성

산업 환경에서의 엄격한 품질 및 신뢰성 기준을 충족하도록 설계됨

연장된 수명을 위한 견고한 열 관리

제품 장점

높은 전압 처리 능력과 에너지 효율성으로 전체 시스템 성능을 향상시킴

엄격한 응용 프로그램에 적합한 견고한 디자인

제품 경쟁력

고전압 MOSFET 시장에서 경쟁력 있는 위치

효율성과 열 관리 측면에서 유사 제품보다 성능상의 이점 제공

호환성

표준 스루홀 장착 기술과 호환됨

고전력 응용 프로그램에서 사용되는 전형적인 게이트 구동 전압과 작동

표준 인증 및 준수

안전 및 성능을 위한 산업 표준 규격을 준수

수명 및 지속 가능성

고스트레스 조건에서 장기 신뢰성 위해 설계됨

에너지 효율적인 성능을 통해 지속 가능한 운영 지원

실제 적용 분야

전원 공급 장치, 인버터, 스위칭 레귤레이터에서 널리 사용됨

산업용 드라이브 및 태양광 인버터와 같은 고전압 및 전력 관리가 필요한 응용 분야에 적합

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