| SPA11N80C3XKSA1 | |
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| 제품 모델 | SPA11N80C3XKSA1 |
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 기술 | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP |
| 가능 수량 | 2542 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
| ECAD 모델 | |
| 데이터 시트 | 1.SPA11N80C3XKSA1.pdf2.SPA11N80C3XKSA1.pdf3.SPA11N80C3XKSA1.pdf |
| SPA11N80C3XKSA1 Price |
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| SPA11N80C3XKSA1의 기술 정보 | |||
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| 제조업체 부품 번호 | SPA11N80C3XKSA1 | 범주 | |
| 제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP |
| 패키지 / 케이스 | PG-TO220-3-31 | 가능 수량 | 2542 pcs |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.9V @ 680µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | PG-TO220-3-31 |
| 연속 | CoolMOS™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 34W (Tc) | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
| 패키지 | Tube | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1600 pF @ 100 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 85 nC @ 10 V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800 V | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | SPA11N80 | ||
| 다운로드 | SPA11N80C3XKSA1 PDF - EN.pdf | ||
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| SPA11N80C3XKSA1 구성 요소 | 인벤토리 | SPA11N80C3XKSA1 Digikey |
| 공급 업체 SPA11N80C3XKSA1 | SPA11N80C3XKSA1 온라인 주문 | 문의 SPA11N80C3XKSA1 |
| SPA11N80C3XKSA1 이미지 | SPA11N80C3XKSA1 그림 | SPA11N80C3XKSA1 PDF |
| SPA11N80C3XKSA1 데이터 시트 | SPA11N80C3XKSA1 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
