IR2213SPBF | |
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제품 모델 | IR2213SPBF |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
가능 수량 | 4539 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.IR2213SPBF.pdf2.IR2213SPBF.pdf |
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IR2213SPBF Price |
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IR2213SPBF의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IR2213SPBF | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
패키지 / 케이스 | 16-SOIC | 가능 수량 | 4539 pcs |
전압 - 공급 | 12V ~ 20V | 제조업체 장치 패키지 | 16-SOIC |
연속 | - | 상승 / 하강 시간 (일반) | 25ns, 17ns |
패키지 / 케이스 | 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | 패키지 | Tube |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 입력 주파수 | 2 |
실장 형 | Surface Mount | 논리 전압 - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
입력 유형 | Non-Inverting | 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 1200 V |
게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET | 구동 구성 | Half-Bridge |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 2A, 2.5A | 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Independent |
기본 제품 번호 | IR2213 | IR2213SPBF 세부 정보 PDF [English] | IR2213SPBF PDF - EN.pdf |
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IR2213SPBF
전력 관리 응용을 위한 게이트 드라이버 IC
인피니언 테크놀로지스
독립형 하프 브리지 드라이버
IGBT 및 N-채널 MOSFET 게이트용으로 설계됨
비반전 입력
높은 작동 온도 범위 -55°C에서 150°C까지
고측을 위한 최대 1200V 부트스트랩 전압 강력
25ns의 상승 시간과 17ns의 하강 시간으로 빠른 스위칭
2A 소스 및 2.5A 싱크의 강력한 피크 출력 전류
구동 구성: 하프 브리지
채널 유형: 독립형
드라이버 수: 2
전압 - 공급: 12V ~ 20V
로직 전압 - VIL, VIH: 6V, 9.5V
게이트 유형: IGBT, N-채널 MOSFET
전류 - 피크 출력: 2A (소스), 2.5A (싱크)
고측 전압 - 최대 (부트스트랩): 1200V
상승/하강 시간: 25ns / 17ns 일반
튜브에 포장됨
16-SOIC 표면 실장 패키지
리드 너비 7.50mm
높은 작동 온도 범위
엄격한 품질 기준 준수
높은 전압 및 높은 전류 용량
빠르고 효율적인 스위칭 성능
극한 조건에 적합한 넓은 작동 온도
강력한 전력 관리 솔루션에서 경쟁 우위를 제공
IGBT 및 N-채널 MOSFET 게이트와 호환
광범위한 로직 입력 전압 지원
게이트 드라이버에 대한 산업 표준 사양을 충족
요구되는 응용 분야에서 긴 수명 설계
전원 공급 장치, 모터 제어 및 기타 전력 관리 시스템에서 널리 사용됨
IR2213SPBF 증권 | IR2213SPBF 가격 | IR2213SPBF 전자 | |||
IR2213SPBF 구성 요소 | 인벤토리 | IR2213SPBF Digikey | |||
공급 업체 IR2213SPBF | IR2213SPBF 온라인 주문 | 문의 IR2213SPBF | |||
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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IR2214SSPBF | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP | Infineon Technologies | ||
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IR21GJ | SERIES 2, 19MM, 0-5% CO2 IR SENS | Amphenol SGX Sensortech | ||
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