IR2213SPBF
제품 모델 IR2213SPBF
제조사 Infineon Technologies
기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
가능 수량 4539 pcs new original in stock.
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IR2213SPBF의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IR2213SPBF 범주 집적회로 (ic)
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
패키지 / 케이스 16-SOIC 가능 수량 4539 pcs
전압 - 공급 12V ~ 20V 제조업체 장치 패키지 16-SOIC
연속 - 상승 / 하강 시간 (일반) 25ns, 17ns
패키지 / 케이스 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 패키지 Tube
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 입력 주파수 2
실장 형 Surface Mount 논리 전압 - VIL, VIH 6V, 9.5V
입력 유형 Non-Inverting 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) 1200 V
게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 구동 구성 Half-Bridge
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2.5A 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) Independent
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제품 모델

IR2213SPBF

소개

전력 관리 응용을 위한 게이트 드라이버 IC

브랜드 및 제조사

인피니언 테크놀로지스

특징 및 기능

독립형 하프 브리지 드라이버
IGBT 및 N-채널 MOSFET 게이트용으로 설계됨
비반전 입력

제품 성능

높은 작동 온도 범위 -55°C에서 150°C까지
고측을 위한 최대 1200V 부트스트랩 전압 강력
25ns의 상승 시간과 17ns의 하강 시간으로 빠른 스위칭
2A 소스 및 2.5A 싱크의 강력한 피크 출력 전류

기술 사양

구동 구성: 하프 브리지
채널 유형: 독립형
드라이버 수: 2
전압 - 공급: 12V ~ 20V
로직 전압 - VIL, VIH: 6V, 9.5V
게이트 유형: IGBT, N-채널 MOSFET
전류 - 피크 출력: 2A (소스), 2.5A (싱크)
고측 전압 - 최대 (부트스트랩): 1200V
상승/하강 시간: 25ns / 17ns 일반

크기, 형태 및 포장

튜브에 포장됨
16-SOIC 표면 실장 패키지
리드 너비 7.50mm

품질 및 신뢰성

높은 작동 온도 범위
엄격한 품질 기준 준수

제품 장점

높은 전압 및 높은 전류 용량
빠르고 효율적인 스위칭 성능
극한 조건에 적합한 넓은 작동 온도

제품 경쟁력

강력한 전력 관리 솔루션에서 경쟁 우위를 제공

호환성

IGBT 및 N-채널 MOSFET 게이트와 호환
광범위한 로직 입력 전압 지원

표준 인증 및 준수

게이트 드라이버에 대한 산업 표준 사양을 충족

수명 및 지속 가능성

요구되는 응용 분야에서 긴 수명 설계

실제 적용 분야

전원 공급 장치, 모터 제어 및 기타 전력 관리 시스템에서 널리 사용됨

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