IR2233
제품 모델 IR2233
제조사 Infineon Technologies
기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
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IR2233의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IR2233 범주 집적회로 (ic)
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
패키지 / 케이스 28-PDIP 가능 수량 3156 pcs
전압 - 공급 10V ~ 20V 제조업체 장치 패키지 28-PDIP
연속 - 상승 / 하강 시간 (일반) 90ns, 40ns
패키지 / 케이스 28-DIP (0.600", 15.24mm) 패키지 Tube
작동 온도 125°C (TJ) 입력 주파수 6
실장 형 Through Hole 논리 전압 - VIL, VIH 0.8V, 2V
입력 유형 Inverting 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) 1200 V
게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 구동 구성 Half-Bridge
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) 250mA, 500mA 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) 3-Phase
기본 제품 번호 IR2233  
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제품 모델

IR2233

소개

IGBT 및 N-채널 MOSFET용 3상 게이트 드라이버 IC

브랜드 및 제조사

인피니온 테크놀로지스

특징 및 기능

하프 브리지 토폴로지를 구동하며, 3상 모터 제어 애플리케이션에 사용할 수 있는 6개의 고출력 드라이버 채널이 있으며, IGBT 및 N-채널 MOSFET과 호환됩니다.

제품 성능

250mA의 소스 전류와 500mA의 싱크 전류를 지원하며, 10V에서 20V 범위의 전압 공급이 가능하고, 반전 입력 로직이 포함되어 있습니다. 고측 전압은 최대 1200V까지 처리할 수 있으며(부스트랩), 상승 및 하강 시간은 각각 90ns와 40ns입니다.

기술 사양

로직 전압 - VIL, VIH: 0.8V, 2V; 피크 출력 전류 - 소스: 250mA; 피크 출력 전류 - 싱크: 500mA; 고측 전압 - 최대(부스트랩): 1200V.

크기, 형태 및 포장

관통 홀 장착형이며, 28-DIP 패키지로 제공됩니다. 크기는 0.600인치(15.24mm)입니다.

품질 및 신뢰성

최대 접합 온도 125°C에서 작동하도록 설계되었습니다.

제품 장점

6개의 통합 드라이버는 부품 수를 줄이고, 향상된 열 성능을 제공합니다.

제품 경쟁력

복잡한 전력 제어 애플리케이션에 적합하며, 다상 전력 시스템을 효율적으로 설계하는 데 도움을 줍니다.

호환성

모터 제어 애플리케이션을 위해 IGBT 및 N-채널 MOSFET과 호환됩니다.

표준 인증 및 준수

게이트 드라이버에 대한 산업 표준을 준수합니다(구체적인 표준은 제공되지 않음).

수명 및 지속 가능성

단종 제품 상태로 인해 제한된 수명과 지속 가능성을 나타냅니다.

실제 적용 분야

3상 모터 제어 시스템에 사용되며, 복잡한 전력 관리 시스템을 구동합니다.

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