IR2233 | |
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제품 모델 | IR2233 |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP |
가능 수량 | 3156 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | IR2233.pdf |
IR2233 Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
IR2233의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IR2233 | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP |
패키지 / 케이스 | 28-PDIP | 가능 수량 | 3156 pcs |
전압 - 공급 | 10V ~ 20V | 제조업체 장치 패키지 | 28-PDIP |
연속 | - | 상승 / 하강 시간 (일반) | 90ns, 40ns |
패키지 / 케이스 | 28-DIP (0.600", 15.24mm) | 패키지 | Tube |
작동 온도 | 125°C (TJ) | 입력 주파수 | 6 |
실장 형 | Through Hole | 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
입력 유형 | Inverting | 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 1200 V |
게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET | 구동 구성 | Half-Bridge |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 250mA, 500mA | 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | 3-Phase |
기본 제품 번호 | IR2233 | ||
다운로드 | IR2233 PDF - EN.pdf |
IR2233
IGBT 및 N-채널 MOSFET용 3상 게이트 드라이버 IC
인피니온 테크놀로지스
하프 브리지 토폴로지를 구동하며, 3상 모터 제어 애플리케이션에 사용할 수 있는 6개의 고출력 드라이버 채널이 있으며, IGBT 및 N-채널 MOSFET과 호환됩니다.
250mA의 소스 전류와 500mA의 싱크 전류를 지원하며, 10V에서 20V 범위의 전압 공급이 가능하고, 반전 입력 로직이 포함되어 있습니다. 고측 전압은 최대 1200V까지 처리할 수 있으며(부스트랩), 상승 및 하강 시간은 각각 90ns와 40ns입니다.
로직 전압 - VIL, VIH: 0.8V, 2V; 피크 출력 전류 - 소스: 250mA; 피크 출력 전류 - 싱크: 500mA; 고측 전압 - 최대(부스트랩): 1200V.
관통 홀 장착형이며, 28-DIP 패키지로 제공됩니다. 크기는 0.600인치(15.24mm)입니다.
최대 접합 온도 125°C에서 작동하도록 설계되었습니다.
6개의 통합 드라이버는 부품 수를 줄이고, 향상된 열 성능을 제공합니다.
복잡한 전력 제어 애플리케이션에 적합하며, 다상 전력 시스템을 효율적으로 설계하는 데 도움을 줍니다.
모터 제어 애플리케이션을 위해 IGBT 및 N-채널 MOSFET과 호환됩니다.
게이트 드라이버에 대한 산업 표준을 준수합니다(구체적인 표준은 제공되지 않음).
단종 제품 상태로 인해 제한된 수명과 지속 가능성을 나타냅니다.
3상 모터 제어 시스템에 사용되며, 복잡한 전력 관리 시스템을 구동합니다.
IR2233 증권 | IR2233 가격 | IR2233 전자 | |||
IR2233 구성 요소 | 인벤토리 | IR2233 Digikey | |||
공급 업체 IR2233 | IR2233 온라인 주문 | 문의 IR2233 | |||
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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