IR22141SSTRPBF
제품 모델 IR22141SSTRPBF
제조사 Infineon Technologies
기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
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IR22141SSTRPBF의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IR22141SSTRPBF 범주 집적회로 (ic)
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
패키지 / 케이스 24-SSOP 가능 수량 2913 pcs
전압 - 공급 11.5V ~ 20V 제조업체 장치 패키지 24-SSOP
연속 - 상승 / 하강 시간 (일반) 24ns, 7ns
패키지 / 케이스 24-SSOP (0.209', 5.30mm Width) 패키지 Tape & Reel (TR)
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 입력 주파수 2
실장 형 Surface Mount 논리 전압 - VIL, VIH 0.8V, 2V
입력 유형 Non-Inverting 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) 1200 V
게이트 유형 IGBT 구동 구성 Half-Bridge
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 3A 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) Independent
기본 제품 번호 IR22141  
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제품 모델

IR22141SSTRPBF

소개

IGBT용 절전 반도체 드라이버

브랜드 및 제조사

Infineon Technologies

특징 및 기능

IGBT 게이트 드라이빙 설계, 독립 채널 작동, 2개 드라이버 채널

제품 성능

공급 전압 범위 11.5V에서 20V, 로직 저전압 및 고전압 임계값 0.8V 및 2V, 최대 출력 전류 2A(원천) 및 3A(싱크), 비반전 입력 유형, 부스트 캐패시터를 사용한 고전압 측면 최대 1200V, 상승 및 하강 시간 24ns 및 7ns

기술 사양

1200V까지의 고전압 측면 부스트 구성 지원

크기, 형태 및 포장

24-SSOP 표면 마운트 패키지, 너비 5.30mm

품질 및 신뢰성

-40°C에서 150°C까지의 고온 작동 설계

제품 장점

고전압 응용에 효과적, 큰 전류 드라이브 가능

제품 경쟁력

폐기 상태로 인해 경쟁력에 영향

호환성

반도체 구성에 적합

표준 인증 및 준수

Infineon 표준 품질 및 규격 준수

수명 및 지속 가능성

고온 작동으로 인한 강력한 수명

실제 적용 분야

주로 고전압 전력 관리 응용에서 사용

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