IR2233JPBF
제품 모델 IR2233JPBF
제조사 Infineon Technologies
기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
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IR2233JPBF의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IR2233JPBF 범주 집적회로 (ic)
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
패키지 / 케이스 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) 가능 수량 6000 pcs
전압 - 공급 10V ~ 20V 제조업체 장치 패키지 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
연속 - 상승 / 하강 시간 (일반) 90ns, 40ns
패키지 / 케이스 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 패키지 Tube
작동 온도 125°C (TJ) 입력 주파수 6
실장 형 Surface Mount 논리 전압 - VIL, VIH 0.8V, 2V
입력 유형 Inverting 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) 1200 V
게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 구동 구성 Half-Bridge
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) 250mA, 500mA 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) 3-Phase
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제품 모델

IR2233JPBF

소개

IGBT 및 N-채널 MOSFET을 위한 3상 게이트 드라이버 IC

브랜드 및 제조사

인피니언 테크놀로지스

특징 및 기능

반교류 구동 구성, 3상 채널 타입, 6개의 드라이버 수, IGBT 및 N-채널 MOSFET 게이트 구동에 적합

제품 성능

공급 전압 범위: 10V에서 20V, 논리 전압 레벨: VIH 2V, VIL 0.8V, 피크 출력 전류: 소스 250mA, 싱크 500mA, 반전 입력 타입, 부스트랩 가능 고측 전압 최대 1200V, 전형적인 상승 시간: 90ns, 전형적인 하강 시간: 40ns

기술 사양

전력 관리(PMIC) 게이트 드라이버 카테고리, 활성 제품 상태

크기, 형태 및 포장

표면 장착 타입, 44-LCC(J-Lead), 32 리드 패키지/케이스, 44-PLCC, 32 리드 (16.58x16.58) 공급 장치 패키지, 튜브에 포장됨

품질 및 신뢰성

산업 응용에 적합한 높은 신뢰성

제품 장점

빠른 상승 및 하강 시간으로 높은 효율성, 다양한 전력 반도체 구동 가능

제품 경쟁력

복잡한 전력 관리 작업에 적합한 견고한 설계, 평판 반도체 제조업체에 의해 설계됨

호환성

다양한 IGBT 및 N-채널 MOSFET과 호환

표준 인증 및 준수

전력 부품에 대한 산업 표준 인증을 준수

수명 및 지속 가능성

추천 조건에서 긴 운영 수명 설계

실제 적용 분야

산업용 모터 제어, 재생 에너지 시스템용 인버터, 전원 공급 장치, 자동차 응용

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