IR2233J | |
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제품 모델 | IR2233J |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC |
가능 수량 | 5003 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | IR2233J.pdf |
IR2233J Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
IR2233J의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IR2233J | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC |
패키지 / 케이스 | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) | 가능 수량 | 5003 pcs |
전압 - 공급 | 10V ~ 20V | 제조업체 장치 패키지 | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) |
연속 | - | 상승 / 하강 시간 (일반) | 90ns, 40ns |
패키지 / 케이스 | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 패키지 | Tube |
작동 온도 | 125°C (TJ) | 입력 주파수 | 6 |
실장 형 | Surface Mount | 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
입력 유형 | Inverting | 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 1200 V |
게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET | 구동 구성 | Half-Bridge |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 250mA, 500mA | 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | 3-Phase |
기본 제품 번호 | IR2233 | ||
다운로드 | IR2233J PDF - EN.pdf |
IR2233J
3상 게이트 드라이버로, 권역 관리 응용 프로그램에 사용되던 기술이 아직 사용 중이지만 오래되었습니다.
Infineon Technologies
하이브리드 구성, 3상 채널 유형, 6개의 통합 드라이버, IGBT 및 N-Channel MOSFET 구동에 적합합니다.
Bootstrap을 통해 최대 1200V의 고전압을 견디며, 상승 시간 90ns, 하강 시간 40ns, 최대 125°C (TJ)까지 작동 가능합니다.
출력 전류 최대값: 출처 250mA, 싱크 500mA, 전원 공급 전압 범위: 10V에서 20V, 논리 전압 수준: VIL 0.8V, VIH 2V, 입력 유형: 반전
표면 배치 44-LCC (J-Lead), 32개의 연결부, 패키지 크기: 16.58mm x 16.58mm
강력한 권역 관리 응용 프로그램을 위해 설계되었습니다.
통합 드라이버로 인해 복잡한 설계를 간소화합니다.
Infineon의 잘 알려진 IR 시리즈의 일부로, 고전압 및 고온 환경에 적합하게 설계되었습니다.
IGBT 및 N-Channel MOSFET과 호환됩니다.
산업 표준 인증(구체적인 인증 사항은 제공되지 않음)에 준수합니다.
비록 구식으로 표시되었지만, 응용 분야에서의 장기간 사용이 보장됩니다.
모터 드라이브용 인버터 회로, 전력 변환 시스템, 권역 관리 부문 내 3상 응용 프로그램에 사용됩니다.
IR2233J 증권 | IR2233J 가격 | IR2233J 전자 | |||
IR2233J 구성 요소 | 인벤토리 | IR2233J Digikey | |||
공급 업체 IR2233J | IR2233J 온라인 주문 | 문의 IR2233J | |||
IR2233J 이미지 | IR2233J 그림 | IR2233J PDF | |||
IR2233J 데이터 시트 | IR2233J 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
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