IR2233J
제품 모델 IR2233J
제조사 Infineon Technologies
기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
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IR2233J의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IR2233J 범주 집적회로 (ic)
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
패키지 / 케이스 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) 가능 수량 5003 pcs
전압 - 공급 10V ~ 20V 제조업체 장치 패키지 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
연속 - 상승 / 하강 시간 (일반) 90ns, 40ns
패키지 / 케이스 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 패키지 Tube
작동 온도 125°C (TJ) 입력 주파수 6
실장 형 Surface Mount 논리 전압 - VIL, VIH 0.8V, 2V
입력 유형 Inverting 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) 1200 V
게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 구동 구성 Half-Bridge
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) 250mA, 500mA 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) 3-Phase
기본 제품 번호 IR2233  
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제품 모델

IR2233J

소개

3상 게이트 드라이버로, 권역 관리 응용 프로그램에 사용되던 기술이 아직 사용 중이지만 오래되었습니다.

브랜드 및 제조사

Infineon Technologies

특징 및 기능

하이브리드 구성, 3상 채널 유형, 6개의 통합 드라이버, IGBT 및 N-Channel MOSFET 구동에 적합합니다.

제품 성능

Bootstrap을 통해 최대 1200V의 고전압을 견디며, 상승 시간 90ns, 하강 시간 40ns, 최대 125°C (TJ)까지 작동 가능합니다.

기술 사양

출력 전류 최대값: 출처 250mA, 싱크 500mA, 전원 공급 전압 범위: 10V에서 20V, 논리 전압 수준: VIL 0.8V, VIH 2V, 입력 유형: 반전

크기, 형태 및 포장

표면 배치 44-LCC (J-Lead), 32개의 연결부, 패키지 크기: 16.58mm x 16.58mm

품질 및 신뢰성

강력한 권역 관리 응용 프로그램을 위해 설계되었습니다.

제품 장점

통합 드라이버로 인해 복잡한 설계를 간소화합니다.

제품 경쟁력

Infineon의 잘 알려진 IR 시리즈의 일부로, 고전압 및 고온 환경에 적합하게 설계되었습니다.

호환성

IGBT 및 N-Channel MOSFET과 호환됩니다.

표준 인증 및 준수

산업 표준 인증(구체적인 인증 사항은 제공되지 않음)에 준수합니다.

수명 및 지속 가능성

비록 구식으로 표시되었지만, 응용 분야에서의 장기간 사용이 보장됩니다.

실제 적용 분야

모터 드라이브용 인버터 회로, 전력 변환 시스템, 권역 관리 부문 내 3상 응용 프로그램에 사용됩니다.

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