IR2233JTRPBF | |
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제품 모델 | IR2233JTRPBF |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC |
가능 수량 | 2907 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.IR2233JTRPBF.pdf2.IR2233JTRPBF.pdf3.IR2233JTRPBF.pdf4.IR2233JTRPBF.pdf5.IR2233JTRPBF.pdf |
IR2233JTRPBF Price |
온라인으로 가격 및 리드 타임 요청 or Email us: Info@ariat-tech.com |
IR2233JTRPBF의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IR2233JTRPBF | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC |
패키지 / 케이스 | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) | 가능 수량 | 2907 pcs |
전압 - 공급 | 10V ~ 20V | 제조업체 장치 패키지 | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) |
연속 | - | 상승 / 하강 시간 (일반) | 90ns, 40ns |
패키지 / 케이스 | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 패키지 | Tape & Reel (TR) |
작동 온도 | 125°C (TJ) | 입력 주파수 | 6 |
실장 형 | Surface Mount | 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
입력 유형 | Inverting | 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 1200 V |
게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET | 구동 구성 | Half-Bridge |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 250mA, 500mA | 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | 3-Phase |
기본 제품 번호 | IR2233 | ||
다운로드 | IR2233JTRPBF PDF - EN.pdf |
IR2233JTRPBF
3-상 모터 드라이버 게이트 배열
인피니언 테크놀로지스
내장 부트스트랩 다이오드, 고전압 게이트 드라이브 회로, 모든 채널에 대한 저전압 잠금 기능, 모든 채널의 지연 시간이 일치하도록 설계됨
최대 500mA 피크 싱크 전류를 통한 강력한 작동, IGBT 또는 N-채널 MOSFET 게이트의 효율적인 드라이브
전원 전압 범위: 10V ~ 20V, 논리 입력 전압 레벨: VIL 0.8V, VIH 2V, 피크 출력 전류 출처/싱크: 250mA/500mA, 부트스트랩 전압 최대 1200V
표면 장착 44-LCC (J-리드), 32 리드, 패키지: 44-PLCC, 32 리드 (16.58x16.58), 테이프 & 릴(TR) 포장
산업용 등급 성능
3상 모터 제어 애플리케이션을 위해 설계됨, 부품 수 감소를 위한 높은 통합도
소형 대비 경쟁력 있는 성능 비율
IGBT 및 N-채널 MOSFET 게이트와 호환
게이트 드라이버에 대한 산업 표준 인증 준수
산업 환경에서 장기 신뢰성을 위해 설계됨
HVAC 시스템, 펌프, 산업용 드라이브 등 다양한 모터 제어 애플리케이션에 사용
IR2233JTRPBF 증권 | IR2233JTRPBF 가격 | IR2233JTRPBF 전자 | |||
IR2233JTRPBF 구성 요소 | 인벤토리 | IR2233JTRPBF Digikey | |||
공급 업체 IR2233JTRPBF | IR2233JTRPBF 온라인 주문 | 문의 IR2233JTRPBF | |||
IR2233JTRPBF 이미지 | IR2233JTRPBF 그림 | IR2233JTRPBF PDF | |||
IR2233JTRPBF 데이터 시트 | IR2233JTRPBF 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
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