IR2213STRPBF | |
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제품 모델 | IR2213STRPBF |
제조사 | Infineon Technologies |
기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
가능 수량 | 4005 pcs new original in stock. 주식 및 견적 요청 |
ECAD 모델 | |
데이터 시트 | 1.IR2213STRPBF.pdf2.IR2213STRPBF.pdf3.IR2213STRPBF.pdf4.IR2213STRPBF.pdf5.IR2213STRPBF.pdf6.IR2213STRPBF.pdf7.IR2213STRPBF.pdf |
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IR2213STRPBF Price |
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IR2213STRPBF의 기술 정보 | |||
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제조업체 부품 번호 | IR2213STRPBF | 범주 | 집적회로 (ic) |
제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | 기술 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
패키지 / 케이스 | 16-SOIC | 가능 수량 | 4005 pcs |
전압 - 공급 | 12V ~ 20V | 제조업체 장치 패키지 | 16-SOIC |
연속 | - | 상승 / 하강 시간 (일반) | 25ns, 17ns |
패키지 / 케이스 | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 패키지 | Tape & Reel (TR) |
작동 온도 | 125°C (TJ) | 입력 주파수 | 2 |
실장 형 | Surface Mount | 논리 전압 - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
입력 유형 | Non-Inverting | 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 1200 V |
게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET | 구동 구성 | Half-Bridge |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 2A, 2.5A | 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Independent |
기본 제품 번호 | IR2213 | IR2213STRPBF 세부 정보 PDF [English] | IR2213STRPBF PDF - EN.pdf |
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IR2213STRPBF
고전압 하프 브릿지 게이트 드라이버
인피니온 테크놀로지스
통합된 하프 브릿지 게이트 드라이버
독립 채널 작동
IGBT 및 N-채널 MOSFET 게이트 구동 가능
비반전 입력 타입
최대 1200V의 높은 전압(부트스트랩 기술)
25ns 상승 시간 및 17ns 하강 시간으로 빠른 스위칭 성능
12V에서 20V의 공급 전압 범위에서 작동
논리 레벨: VIH 6V 및 VIL 9.5V
최대 출력 전류: 소스 2A, 싱크 2.5A
최대 작동 온도: 125°C의 열 성능(TJ)
전압: 12V ~ 20V 공급 범위
논리 전압: VIH 6V, VIL 9.5V
전류: 소스 2A, 싱크 2.5A 최대 출력
하이 사이드 전압 (부트스트랩): 최대 1200V
상승/하강 시간: 일반적으로 25ns/17ns
16-SOIC 패키지
폭: 7.50mm (0.295 인치)
자동 조립을 위한 테이프 및 릴(TR) 포장
인피니온 테크놀로지스의 높은 제조 기준
고온에서도 견고한 작동
전력 관리 회로에 통합 용이
다양한 응용 분야에 유리한 높은 전압 처리능력
콤팩트한 형태에서 높은 성능
IGBT 및 N-채널 MOSFET과 호환됨
폭넓은 전원 공급 전압 지원
인피니온 테크놀로지스에서 준수하는 품질 기준
엄격한 응용 분야에 적합한 긴 작동 수명
환경 지속 가능성을 고려하여 제조
모터 드라이브, 전력 인버터 및 스위칭 전원 공급 장치에서 사용하기에 적합
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IR2213STRPBF 구성 요소 | 인벤토리 | IR2213STRPBF Digikey | |||
공급 업체 IR2213STRPBF | IR2213STRPBF 온라인 주문 | 문의 IR2213STRPBF | |||
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IR2213STRPBF 데이터 시트 | IR2213STRPBF 데이터 시트 다운로드 | 제조업체 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
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영상 | 제품 모델 | 기술 | 제조사 | 견적 | |
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