IR2213STRPBF
제품 모델 IR2213STRPBF
제조사 Infineon Technologies
기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
가능 수량 4005 pcs new original in stock.
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IR2213STRPBF의 기술 정보
제조업체 부품 번호 IR2213STRPBF 범주 집적회로 (ic)
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) 기술 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
패키지 / 케이스 16-SOIC 가능 수량 4005 pcs
전압 - 공급 12V ~ 20V 제조업체 장치 패키지 16-SOIC
연속 - 상승 / 하강 시간 (일반) 25ns, 17ns
패키지 / 케이스 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 패키지 Tape & Reel (TR)
작동 온도 125°C (TJ) 입력 주파수 2
실장 형 Surface Mount 논리 전압 - VIL, VIH 6V, 9.5V
입력 유형 Non-Inverting 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) 1200 V
게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 구동 구성 Half-Bridge
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2.5A 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) Independent
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제품 모델

IR2213STRPBF

소개

고전압 하프 브릿지 게이트 드라이버

브랜드 및 제조사

인피니온 테크놀로지스

특징 및 기능

통합된 하프 브릿지 게이트 드라이버

독립 채널 작동

IGBT 및 N-채널 MOSFET 게이트 구동 가능

비반전 입력 타입

최대 1200V의 높은 전압(부트스트랩 기술)

25ns 상승 시간 및 17ns 하강 시간으로 빠른 스위칭 성능

제품 성능

12V에서 20V의 공급 전압 범위에서 작동

논리 레벨: VIH 6V 및 VIL 9.5V

최대 출력 전류: 소스 2A, 싱크 2.5A

최대 작동 온도: 125°C의 열 성능(TJ)

기술 사양

전압: 12V ~ 20V 공급 범위

논리 전압: VIH 6V, VIL 9.5V

전류: 소스 2A, 싱크 2.5A 최대 출력

하이 사이드 전압 (부트스트랩): 최대 1200V

상승/하강 시간: 일반적으로 25ns/17ns

크기, 형태 및 포장

16-SOIC 패키지

폭: 7.50mm (0.295 인치)

자동 조립을 위한 테이프 및 릴(TR) 포장

품질 및 신뢰성

인피니온 테크놀로지스의 높은 제조 기준

고온에서도 견고한 작동

제품 장점

전력 관리 회로에 통합 용이

다양한 응용 분야에 유리한 높은 전압 처리능력

제품 경쟁력

콤팩트한 형태에서 높은 성능

호환성

IGBT 및 N-채널 MOSFET과 호환됨

폭넓은 전원 공급 전압 지원

표준 인증 및 준수

인피니온 테크놀로지스에서 준수하는 품질 기준

수명 및 지속 가능성

엄격한 응용 분야에 적합한 긴 작동 수명

환경 지속 가능성을 고려하여 제조

실제 적용 분야

모터 드라이브, 전력 인버터 및 스위칭 전원 공급 장치에서 사용하기에 적합

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